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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON) 達到業內先進水平，可顯（xiǎn）著提高功率

2024-3-14 來源：- 作者：-

節省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封（fēng）裝（zhuāng）分立器件（jiàn）減（jiǎn）少50 %，有助於減少元器件數量並簡（jiǎn）化設（shè）計

美國賓夕法尼亞（yà） MALVERN、中（zhōng）國上海 — 2024年3月（yuè）14日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣（xuān）布，推出新型（xíng）80 V對（duì）稱雙通道n溝（gōu）道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合（hé）在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用於（yú）工業和通信應（yīng）用功率轉換（huàn），在提高（gāo）功率密度和（hé）能效的同時，增強熱性能（néng），減（jiǎn）少元器件數量並簡（jiǎn）化設計。

日（rì）前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節省50%基板空間。器件為設計人員提供節省空間的解（jiě）決方案，用於同步降壓轉換器、負載點（POL）轉換（huàn）器、DC/DC轉換器半橋和全（quán）橋功率級，適用領域（yù）包括無線電基站、工業電機（jī）驅動、焊接設備和電動工具。這（zhè）些（xiē）應（yīng）用中，SiZF4800LDT高低（dī）邊MOSFET提供50%占空比優化（huà）組合，同時4.5 V下邏輯電（diàn）平導通簡化電路驅動。

為提高功率（lǜ）密度，該MOSFET 在4.5 V條件下導（dǎo）通電阻（zǔ）典型值降至（zhì）18.5 m，達到業內先進（jìn）水平。比相同封（fēng）裝尺寸最接近的競品器件低（dī）16 %。SiZF4800LDT低導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率（lǜ）轉換應用重要優值係數（FOM）為 131m*nC，導通電阻與柵極（jí）電荷乘積提高了（le）高頻（pín）開關應用的效率。

器件采用倒裝芯片技術增強散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導通電阻和熱阻低，連續漏電流達36 A，比接近的（de）競品器件高38 %。 MOSFET獨特的引腳配置有助於簡化PCB布局，支持（chí）縮短開關回路，從而（ér）減小寄生電（diàn）感（gǎn）。SiZF4800LDT經過100% Rg和（hé）UIS測試，符合（hé）RoHS標準，無鹵素。

競品對比表：

SiZF4800LDT現可提供樣品並已（yǐ）實現（xiàn）量產，供貨周期為26周。

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