Qorvo® 推出緊湊型 E1B 封裝的 1200V SiC 模（mó）塊
2024-2-29 來源：- 作者：-
中國 北（běi）京，2024 年（nián） 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方（fāng）案供應商（shāng） Qorvo®（納斯達克代（dài）碼：QRVO）近（jìn）日宣布推出四款采用緊湊（còu）型 E1B 封裝的 1200V 碳化矽（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置（zhì），兩款為全橋（qiáo）配置（zhì），導通（tōng）電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效（xiào）率 SiC 模（mó）塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源（yuán）和太陽能等應用。
Qorvo SiC 電源（yuán）產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新係列中的（de）模塊可以取代多（duō）達四（sì）個分立式（shì） SiC FET，從而簡化熱（rè）機械設計和裝配。我們的共源（yuán）共柵技術還支持以更（gèng）高的開關頻率運（yùn）行（háng），通過使用更小的外部元件進（jìn）一（yī）步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高（gāo）效率特（tè）性（xìng）可以簡化電源設計流程，讓我們的客戶能夠專注做好單一模塊（kuài）的設計、布（bù）局、組裝、特性分析和認證，無需應對多個分立式元件。”
以 9.4mΩ 導通電阻的 UHB100SC12E1BC3N 為代表的這四款 SiC 模塊均采用 Qorvo 獨特的共源共柵配置，最大限度地降低（dī）了導通電阻和開（kāi）關損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優（yōu）勢在軟開關應用中尤為顯（xiǎn）著。另外，銀燒結芯片貼（tiē）裝將熱阻（zǔ）降至 0.23°C/W；與帶“SC”的產品型號中的疊層芯片結構（gòu）相結合，其功率循環性能比市場同類 SiC 電源模塊高出 2 倍。得益於以上特性，這些高度集成的 SiC 電源模塊不僅易於（yú）使（shǐ）用，而且具有卓（zhuó）越的熱性能、高功率密度和高可靠性。
下表概述了 Qorvo 全新（xīn）的 1200V SiC 模塊係列：
Qorvo 功能強大的設計工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 軟件）有助於產品選擇（zé）和性能仿真。如需詳細了解有關 Qorvo 先進的工業應用 SiC 解決方案，請訪問（wèn） cn.qorvo.com/go/sic。
Qorvo SiC 模塊係列已在美國加利福尼亞州長灘會議中心舉行的國際電力電子應（yīng）用展覽會（APEC）上進行了（le）首次亮相。更多信息，請訪問 Qorvo APEC 2024 頁麵。
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