Vishay推出采用改良設計（jì）的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗
2024-2-29 來源：- 作者：-
半橋器件采用Trench IGBT技術（shù），可選低VCE(ON)或低Eoff，適用於大電流逆變（biàn）級
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月29日 — 日前，威（wēi）世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款采（cǎi）用改良（liáng）設計（jì）的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用（yòng）Vishay的Trench IGBT技術製造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源（yuán）及工業應用大電流（liú）逆變級導通或開關損耗。
日前發（fā）布的半橋器件使用節（jiē）能（néng）效果優於市場上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢複（fù）特（tè）性的第（dì）四代FRED Pt®反並聯二極管封裝在一起（qǐ）。模塊小型INT-A-PAK封裝采用（yòng）新型柵極引腳布局，與34 mm工業標準封裝100%兼容，可采用機械插接方式更換。
這款工（gōng）業級器件可用於各（gè）種應用的電源逆變器，包括鐵路設備（bèi）；發電、配電和儲電係（xì）統；焊接設備；電機驅動器和機器（qì）人。為降低TIG焊機輸（shū）出級導（dǎo）通（tōng）損（sǔn）耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和（hé）VS-GT200TS065S在+125 C，額定電流下，集電極至發射極電（diàn）壓僅為 ≤ 1.07 V，達到業內先進（jìn）水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用於（yú）高（gāo）頻電源應用，開關損耗極低，+125 C，額定電流下，Eoff僅為1.0 mJ。
模塊符合RoHS標準，集電極至發射極電壓為650 V，集（jí）電極連續電（diàn）流為100 A至200 A，結到外殼的熱阻極低（dī）。器件通過UL E78996認證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對吸收電路的（de）要求。
器件規格表：
新型IGBT功率模塊現可提供樣品（pǐn）並（bìng）已實現量產，供貨周（zhōu）期為15周。
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