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Vishay推出采用eSMP®係列SMF（DO-219AB）封裝的全新超快恢複整流器

2024-11-26 來源：Vishay 作者：-

器件Qrr低至（zhì）105 nC，VF為1.10 V，在降低開關損耗的同時，可降（jiàng）低寄生電（diàn）容並縮短（duǎn）恢複時間

美（měi）國賓夕（xī）法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年11月26日 — 日（rì）前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款采用eSMP® 係列SMF（DO-219AB）封裝的（de）汽（qì）車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進一步擴（kuò）展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢複整流器平台（tái）陣容。1 A 和 2 A 整（zhěng）流器針（zhēn）對工業和汽車應用進行了優化，在同類器件中，不僅在反向恢複電（diàn）荷（Qrr）和正向壓（yā）降之間實現了權衡，還提供了（le）更（gèng）低的結電容和更（gèng）短恢複時間。

日前發布的Vishay整流器（qì）包括（kuò）VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3，以及符合AEC-Q101標準的（de）VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。為了降（jiàng）低（dī）開關損耗（hào）並提高效（xiào）率，這些器件融合了（le）低至45 ns的快速恢複時間，低至（zhì）105 nC的Qrr（典（diǎn）型值），低至1.45 V的正向壓降和低至3.0 pF的結電容等特點。性能可靠的整流器（qì）在尺寸為4.2 mm x 1.4 mm的緊湊（còu）封裝中提供了高達21 A的非重複峰值浪湧電流，厚度低至1.08 mm，最（zuì）小爬電距離（lí）僅2.2 mm。

器件可用作（zuò）反激輔助電源的鉗位、緩衝和續流二極管，也可用作自舉驅動器功能的高頻整（zhěng）流器（qì），同時可為最新快速開關IGBT和高（gāo）壓Si/SiC MOSFET提（tí）供去飽和保護（hù）。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典（diǎn）型應用包括工（gōng）業驅動器和工具、電動汽車（EV）車（chē）載充電器和電（diàn）機、發電和儲能係統，以（yǐ）及（jí）Ćuk轉換器和工業LED SEPIC電路。

整流器采用平麵結構，通（tōng）過鉑摻雜壽命控製，在不影響性能的情況下（xià）確保係統的可靠（kào）性和穩定性（xìng），同時經（jīng）過優化的存（cún）儲電荷和低恢複電流可最大限度減少開關損耗並降低功耗。器件符合RoHS標準，無鹵素，潮濕敏感度達到J-STD-020標準1級（jí），可在+175 °C高（gāo）溫下工作。

器件規格（gé）表：

最新第7代整流器（qì）現可提供樣品並（bìng）已實現量（liàng）產（chǎn），訂貨周期為8周。

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