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Vishay推出新型EMIPAK 1B封裝二極管和MOSFET功(gōng)率模塊,為車載充(chōng)電(diàn)應用提供完整解決方
2022-11-24  來源:-  作者:-


        靈活的器件采用PressFit引腳(jiǎo)壓合技術,在小型封裝中內置各種電路配置

       賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年11月24日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,針(zhēn)對車載充電應用專門推出(chū)七款新型二極管和MOSFET功率模塊。含有各(gè)種電(diàn)路配置的集成解決(jué)方案采用PressFit引腳壓合專利技術,將高效快速體二極(jí)管MOSFET和SiC、FRED Pt®和MOAT二極管技術結合在小型(xíng)EMIPAK 1B封裝中。
 
  

       日前發布的Vishay Semiconductors器件具有(yǒu)車載充(chōng)電應用AC/DC、DC/DC和DC/AC轉換所需的各種(zhǒng)電(diàn)路配置,包括輸入/輸出橋(qiáo)、全橋逆變器和(hé)功率因(yīn)數(shù)校正(PFC),適用於各種額定功率。模(mó)塊符合AQG-324汽車標準,可(kě)為電動(EV)和(hé)混合動力(HEV)汽車以及電動自行(háng)車、農業機械、鐵路車輛等提供完整(zhěng)解決方案。

       器(qì)件(jiàn)EMIPAK封裝采(cǎi)用(yòng)矩(jǔ)陣式方法,在同樣的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封裝中內置各種定製電路配置。與分立式解決方案相比,有助於提高功率密(mì)度,同(tóng)時可在工業和可再生能源應用不同功率級靈活使用每種模塊,適用(yòng)於(yú)焊接、等離子切割、UPS、太陽能逆變器和風力發電機等。

       器件的AI2O3直接敷銅(DBC)襯底改進了熱性能(néng),經過優化的布局有助於減(jiǎn)小雜散電感,提高EMI性能(néng)。模(mó)塊PressFit引腳壓合技術便於PCB安裝並減(jiǎn)少襯底(dǐ)機械應力,而無底座結構減少了需要(yào)焊接的接口提(tí)高(gāo)可靠性。

          器件配置表:
  
         
  
       Vishay 提供全(quán)係列矽技術功率模塊,包括Si和SiC二極管、 晶閘(zhá)管、IGBT和 MOSFET, 以及(jí)電容(róng)器、分流器、NTC和PTC熱敏電阻等(děng)被動元件。器件可用來(lái)配置各種拓撲結構,包括標準焊(hàn)接引腳和PressFit端子,適(shì)用於廣泛功率範圍。功率模(mó)塊符合工業標準,可加以定製滿足特定應用要求,具有高度靈活性和成本(běn)效益,有助於設(shè)計人員加快產品上市速度並提高(gāo)整體係統(tǒng)性能。

      新型功率模塊現可提(tí)供樣(yàng)品。量產供貨周期為26周。



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