Vishay推出性能先進的新款40 V MOSFET
2024-12-5 來源：- 作者：-
器件占位麵（miàn）積小，采用BWL設計（jì），ID高達795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可優化熱性能
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世（shì）科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣（xuān）布，推（tuī）出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優異的導通電阻，能夠為工業應用提供更高的效率和功率密度。與相同占（zhàn）位麵積的競（jìng）品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通（tōng）電阻低58 %。
日前發布的這款器件在10 V電（diàn）壓下（xià）的典型導通電阻低至0.34 m，最大限度減少了傳導造成（chéng）的功率損耗，從而提高了（le）效率，同時通過低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設計（jì）人員使用一個器件（而不用並聯兩個器件）實現相同的低導通電阻（zǔ），從而（ér）提高了可靠性，並延長了平（píng）均故障（zhàng）間（jiān）隔時間（MTBF）。
MOSFET采用無線鍵合（BWL）設計，最大限度減少了寄生電感，同時（shí）最（zuì）大限度提高了（le）電流能力。采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案電流限於200 A，而SiJK140E可提供高達795 A的連續漏極電流，以提高功率密度（dù），同時提供強大的SOA功能。與TO-263-7L相比，器件（jiàn）的PowerPAK 10x12封裝（zhuāng）占位麵積為120 mm2，可（kě）節省27 %的PCB空（kōng）間，同時厚度減小（xiǎo）50 %。
SiJK140E非常適合同步整流、熱（rè）插（chā）拔和OR-ing功能（néng）。典型應用包括電機驅動控製、電動工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理係統、機器人和（hé）3D打印機。為了避（bì）免（miǎn）這些產品出現共通，標準級FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標準且無鹵素，經過100 % Rg和UIS測試。
PPAK10x12與 TO-263-7L規格對比
SiJK140E現可提供樣品並已實現量產，訂貨周（zhōu）期為36周。
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