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瑞(ruì)薩(sà)電子推出采用超小封裝的全新RA MCU產品群 實(shí)現超低功耗和創新的外圍功能
2021-10-13  來源:瑞薩電子  作者:-

      基(jī)於(yú)Arm® Cortex®-M23核心(xīn)的全新RA2E2產品(pǐn)群,針對空間受限、功耗(hào)敏感的物聯網終端、可穿戴設備、醫療、工(gōng)業自動化及其他消費電子和家電等應用進行優化

      2021 年 10 月 13 日,日本東京(jīng)訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應商(shāng)瑞薩(sà)電子集團(TSE:6723)今日宣布(bù),其32位RA微控製器(MCU)產品家族推出全新產品群(qún)RA2E2。該係列產品基於Arm® Cortex®-M23內核,具備低功耗特性和(hé)適用於IoT終端應用的外設,封裝包括(kuò)采用1.87mm x 1.84mm的超小型16管腳WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package,晶圓級芯片(piàn)封裝),構建獨特的性能組合。全新48MHz RA2E2產品(pǐn)群(qún)縮短產品設計周期,可輕鬆升級至其它RA產(chǎn)品(pǐn)。
 
  

      RA2E2 MCU的推出旨在(zài)滿足可穿戴設備、醫療設備、家電和工業自動化等(děng)物聯網終端應用需(xū)求,提供業界同類產品中較低運行功率;在工作模式下能耗僅(jǐn)81uA/MHz,軟件待機(jī)電流(liú)僅200nA,並可快速喚醒。新(xīn)產品(pǐn)支持-40至125°C的極寬(kuān)Ta溫度範圍,可適用於惡劣的物聯網(wǎng)工作(zuò)環境(jìng)。RA2E2 MCU支持I3C總線接口並集成了節約成本的外(wài)圍功能,包括精度為+/-1%的片上(shàng)振蕩器、上電複位、低壓檢測器、EEPROM和溫度傳感器。

      瑞薩RA產品(pǐn)家族現擁(yōng)有超過160款型號,工作頻率從48MHz到200MHz。RA MCU提供超低功耗、廣泛的通信連(lián)接選項,以及(jí)包括Arm TrustZone®技術在內的(de)出(chū)色安全功能。瑞薩靈活配置軟件包 (FSP) 可支(zhī)持所有RA產(chǎn)品,FSP具有高效的驅動程序和(hé)中間件,以簡化通信及安全功能(néng)的實現。FSP GUI可簡化並加速開發流程(chéng)。FSP能靈活複(fù)用(yòng)現有(yǒu)代碼資源,並輕鬆實現與其它(tā)RA係列產(chǎn)品的兼容和(hé)擴展。使用FSP的開發人員可通過豐富(fù)的Arm生態係統獲得各種工具,也可以借助瑞薩廣泛(fàn)的合作夥伴網(wǎng)絡獲(huò)取支持,以加速產品上(shàng)市。

      瑞薩電子物聯網及基礎設施(shī)事業本部高級副總裁Roger Wendelken表示:“我們看到在少(shǎo)引腳物聯網終端應用中,對(duì)32位(wèi)MCU的需求不斷增加。RA2E2產品群借助其功能和性能可滿(mǎn)足這一市場需要(yào)。瑞薩RA產品家族現提供封裝從16至176引(yǐn)腳(jiǎo)、性能從48至200MHz的多(duō)款解決方(fāng)案,並全部具備FSP支持,這使設計IP能夠簡單而(ér)快速地在不同產品間轉換。”

      RA2E2 MCU產品群(qún)
  
      RA2E2 MCU產品群包括九款不(bú)同產品,封裝從(cóng)16至24引腳,配置16至64KB閃存和8KB SRAM;除此之(zhī)外還包含2KB數據閃存,這是其它少引腳產品所不(bú)具備(bèi)的功能。該產品群還是同類產品中(zhōng)極少數提供I3C總(zǒng)線接口的MCU,可實現4.6Mbps的高速通信——相比之下,競品速率僅為1Mbps。RA2E2產品群還擁(yōng)有先(xiān)進的安全功能,內置加密加速器(AES256/128)、真隨機數(shù)發生器(TRNG)和存儲保護單元。

      RA2E2產(chǎn)品群的(de)關鍵特性
  
  . 48MHz Arm Cortex-M23 CPU內核
  . 16至64KB集成閃存選項;8KB RAM和2KB數據(jù)閃存
  . 從超小16引腳WLCSP到20和24引腳QFN的多種封裝選(xuǎn)項
  . 低功耗運行:工作模式下(xià)能耗僅81uA/MHz;軟件待機電流低至200nA,並可快速喚醒
  . I3C總線接口,可實現更高的(de)通信速度(dù)
  . 支持寬溫範圍:Ta = -40~125°C,適用於惡劣的物聯(lián)網工作環境
  . 安全功能包括加密加速器(qì)、TRNG和存儲保護單元
  . 1.6至5.5V寬工作電壓
  . 卓越性能(néng)實現較低係(xì)統成本
          o 高精度(+/- 1.0%)、高速(sù)片上振蕩器
          o 上電複位和低壓檢測器
          o EEPROM
          o 高電流驅動端口(kǒu)和5V耐壓I/O
          o 溫度傳感器


      瑞薩將RA2E2 MCU與模擬和功率器件無縫結合,打造(zào)“成功產品組合”,從而加速各類(lèi)應用的設計進(jìn)程並降低客戶風險。其中,采用RA2E2 MCU的“成功產品組合”包括DDR5遊戲DIMM解決方案等。瑞薩現(xiàn)已推出適用於各種應用和終端產品的250餘款“成功產品組合”。
   
      更多信息,請訪問:renesas.com/win。

 
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