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下一代同步整流控製技術增強電源運行參（cān）數

2017-6-23 來源（yuán）：安森美作者：-

_{在當今的高性能的電源係統設計中，確保可靠性至關重要，因此高效的功能必須可以處理潛在的問題。同步整流電流反向（xiàng）就（jiù）是這（zhè）樣一個問題。這發生在電容電流（寄生效應引起的）導致MOSFET在輕負載的情況下被過早激活時–然（rán）後反向電流從輸出電容流（liú）回同步（bù）整流器。這不僅導致係統能效受到嚴重影（yǐng）響，還可能會導致（zhì）運行故障。}

_{為了防止（zhǐ）這種情況的（de）發（fā）生，必須在係統處於輕載（zǎi）條件時采取措施增加（jiā）延遲。自適應死區時間控製（zhì）機製可以彌補寄生電感的存在，從而減輕體二極管導通的不良影響。通（tōng）過這（zhè）種（zhǒng）方法，可以調整同步整流器關斷點，以保持一個（gè）恒定的死區時間，而（ér）不受（shòu）當時輸出負載的影響（xiǎng）。從而持續保持高能效和對相（xiàng）應（yīng）的熱管理規定更少的要求（由於散熱的減少（shǎo））。}

_{得益於專有的自適應死區時間控製算法，安森美（měi）半導體的FAN6248雙MOSFET驅（qū）動器控製器IC，能夠充分解決上述挑戰。同時，它可以幫助工程師最大化電源能效，並使係統盡可能緊湊、簡單和具性價比。}

_{該（gāi）器件優化用於現代LLC諧振轉換器拓撲（pū）結構，最大限度（dù）地減少同步（bù）整流MOSFET的體二極管傳導。它通（tōng）過（guò）使用一個獨特的控製方法，消除了電流反向的隱患，還可以避免同步整流誤觸發。通過兩個感測輸入，可以準確地確定MOSFET兩端的漏源電壓，從而（ér）考慮到（dào）關於次級繞組的任（rèn）何不對稱或不良耦合。如果經證實死區時間太長（zhǎng），那麽偏置電壓相（xiàng）應（yīng）降低。從而（ér）提高MOSFET的電壓（yā）閾值，繼而使同（tóng）步整流器的（de）導通時間延長（zhǎng）（因此縮短相關的死區（qū）時間）。反之，如果死區時間太短，則降低MOSFET的（de）電壓閾值，從而（ér）抑製同步整流器的導通期。指定FAN6248控製器能夠提高係統的電源能效（xiào），和實現在整個負載範圍內的穩定運行（無（wú）電流反向的風險）。}

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